PECVD 工艺参数对 SiOx 薄膜性能的调控机制与优化 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过基底温度、气体配比、Ar 稀释、反应压力和 RF 功率五大参数的协同调控,实现 SiOx 薄膜折射率、表面形貌和致密度的精确控制。本文基于 J. Phys.: Conf. Ser. 1124 022